Қатты денелердің беттік қасиеттеріне ультракүлгін және иондайтын сәулеленудің әсері диплом жұмысы
№1612


1. ҚАТТЫ ДЕНЕЛЕРДІҢ БЕТТІК ҚАСИЕТТЕРІНЕ УЛЬТРАКҮЛГІН ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН СӘУЛЕЛЕНУДІҢ ӘСЕРІ
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
1.2 Адсорбенттердің беттік қасиеттеріне иондайтын сәулеленудің әрекеті
1.3 SiO2 гидроқышқылды жамылғысы
2. СЫНАҚ ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
2.2 Вакуумдық-сынақ құрылғылары
2.3 Сәулеленудің көздері мен техникасы
3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА АДСОРБЦИЯЛЫҚ ҮРДІСТЕР
3.1. ( сәулесінің SiO2 гидроксилді жамылғыларына тигізетін әсерлері
4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
5. СӘУЛЕЛЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙ ҚОСТОТЫҒЫН АЛУДЫҢ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСІНЕ ЖОБАНЫ ДАЙЫНДАУ МЕН ЕНГІЗУДІҢ ШЫҒЫНДАРЫН ЕСЕПТЕУ
ҚОРЫТЫНДЫ
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ




Жұмыс түрі: Дипломдық жұмыс
Жұмыс көлемі: 85 бет
Пәні: Соңғы қосылған дипломдық жұмыстар

-----------------------------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------------------------
https://www.topreferat.com/
ДИПЛОМДЫҚ ЖҰМЫСТЫҢ ҚЫСҚАРТЫЛҒАН МӘТІНІ

1. ҚАТТЫ ДЕНЕЛЕРДІҢ БЕТТІК ҚАСИЕТТЕРІНЕ УЛЬТРАКҮЛГІН ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
1.2 Адсорбенттердің беттік қасиеттеріне иондайтын сәулеленудің әрекеті
1.3 SiO2 гидроқышқылды жамылғысы
2. СЫНАҚ ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
2.2 Вакуумдық-сынақ құрылғылары
2.3 Сәулеленудің көздері мен техникасы
3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА АДСОРБЦИЯЛЫҚ ҮРДІСТЕР
3.1. ( сәулесінің SiO2 гидроксилді жамылғыларына тигізетін әсерлері
4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
5. СӘУЛЕЛЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙ ҚОСТОТЫҒЫН АЛУДЫҢ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСІНЕ ЖОБАНЫ ДАЙЫНДАУ
ҚОРЫТЫНДЫ
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
КІРІСПЕ
Қазіргі кезде иондайтын сәулеленудің әсерін зерттеуге және металл
Қатты дененің физикасы, физикалық химия, бет физикасы мен химиясы,
Жұмыстың мақсаты - Электронды және кристалдық құрылымдармен ерекшеленетін
а) Алдын ала газ-қатты дене жүйесінің біріккен сәулеленуі
б) Температура мен қысымдардың кең ауқымды интервалында алдын ала
в) Сәулеленудің әртүрлерінің әсерлері кезіндегі тотықтардың беттеріндегі адсорбцияның белсенді
г) Парамагнитті орталықтардың табиғатын анықтау және де сәулеленген тотықтардың
д) Әртүрлі электронды және кристалдық қасиеттері бар молекулаларға арналған
1. ҚАТТЫ ДЕНЕЛЕРДІҢ БЕТТІК ҚАСИЕТТЕРІНЕ
УЛЬТРАКҮЛГІН ЖӘНЕ ИОНДАЙТЫН СӘУЛЕЛЕНУДІҢ
ӘСЕРІ
1.1 Тотықтың беттік қасиеттеріне сәулеленудің әсері
Жарықтандырудың ықпалымен қатты денелердің адсорбциондық қабілеттерінің өзгерісімен байланыстыруға болатын
Терениннің фотосорбция мектебінің еңбектерінде қолданылған негізгі әдісі манометрикалық болып
Фотосорбциондық зерттеулер негізінен газдың (0,7-1)·10-2 бастапқы қысымында жүргізілді.
Сәулеленудің көзі ретінде сынапты кварцті шамдар немесе балқыту шамдары
Адсорбаттар ретінде жай газдар, ал фотосорбциондық зерттеулерде негізінен оттегі,
SiO2 кремний қостотығында көміртегінің фотосорбциясы алғаш рет [30,34] табылды.
Келесі жұмыста көрсетілгеніндей сутегі адсорбирленген молекулаларының фотодиссоциациясы мен дейтериясы
Мына еңбекте көрсетілгеніндей, сәйкес келетін сенсибилизаторды ала отырып, жағдай
SiO2 бетінде нафталиннің араласуымен судың фотоыдырауын зерттегенде сутегі мен
Сәулелену барысында сутегі атомдарының жинақталу кинетикасын зерттеу фотосентрибилизирленген диссоциация
Авторлардың жүргізген сутегі фотосенсибилизирленген фотодиссоциациясының жүзеге асуына қажетті сәуле
Алдын ала өңдеу температурасынан сәулелену кезінде сутегенің шығыс тәуелділігін
Сілті-галогендік кристалдарда тотықты адсорбенттерге тән фотосорбциялардың негізгі заңдылықтары табылды,
1.2 Адсорбенттердің беттік қасиеттеріне иондайтын
сәулеленудің әрекеті
SiO2 (силикагель) адсорбционды қасиеттеріне гамма-сәулесінің әсеріне арналған
Ары қарай С.В.Стародубцев қызметкерлерінің еңбегінде целолиттер мен алюмосиликаттарының да
ЖЖ-өріс жасайтын төменгі температуралы плазманың әрекетін зерттегенде үстіңгі қабаты
Осы еңбектерде зерттеудің негізгі тәсілі жабық жүйедегі қысымның түсуін
В.Ф.Киселев пен М.М.Тагиева гамма-радиациясының SiO2 беттік қасиетіне – аэросил
Шынында да, ЭПР спектрлеріндегі 77К кезіндегі SiO2 сәулеленуінде Н
ЭПР тәсілін зерттеушілер SiO2-ғы әртүрлі газдардың адсорбциясының механизмін айқындау
Гамма-сәулесімен сәулеленгенде ЭПР спектрінде күрделі бес құрамды немесе үш
Қазіргі кезде SiO2-мен сәулеленген ЭПР спектрі бірқатар деңгейде анықталған
Адсорбирленген молекулалардың SiO2-мен сәулеленген ЭПР спектріне әсері зерттелді [27].
SiO2–гі адсорбцияның аралас орталықтары туралы болжаулар жасалды. АІ атомдарының
Осы мәселе сутегіге қарағанда адсорбциалық қабілеті мен үлгідегі
(n, ()- cәулеленуінің әрекеті КСК типіндегі силикагельдің сорылу қасиеттеріне
Реакторлы сәулелену парамагниттік ақауларды тудырып қалыптастыруы мүмкін, олар (20
Тотықтың беті бар ауыр зарядталған бөлшектердің өзара араласуына [9,15]
SiO2, Al2O3, BeO және өзге де жүйелер зерттелді, олар
Протондағыдай және (-сәуленуі кезіндегідей қанығудың қалпына жету үшін сәулелену
Протонды сәулелену кезінде барлық зерттелген газдарға арналған сорылудың бастапқы
Рентген сәулелерімен SiO2 мен Al2O3 сәулеленген кезде байқалды, сорылу
1.3 SiO2 гидроқышқылды жамылғысы
Кремнеземнің беттік қасиеттері мен құрылымы жөніндегі едәуір ақпарат соңғы
Жоғарыдисперсті кремнеземдердің беті SiCl4 жоғары температурадағы гидролиз кезіндегі тетраэтоксисиланға
Сулардың сорылған молекулалары ультрапорды құрамында ұстамайтын кремнеземді ұзақ уақыт
Бос және байланған гидроксилді топтар санының қарым-қатынасы кремнеземді алу
Кремнеземнің дегидроксилирленген беттік құрылымы мен қасиеті туралы пікірлер бір-біріне
Дегидроксилирленген кремнеземнің беті бойынша гидроксильді топтардың әрқалыпты таралуының нәтижесі
Бір-бірінен оңаша жатқан гидроксильді топтардың әртүрлі жолмен қоюлануы кремнеземнің
Кремнеземнің бетіндегі ақаулардың пайда болуы кезінде құрылымның босаңсу энергиясын
Дегидроксилирленген кремнеземдердің бетінде кернеулі силоксандық көпірлердің пайда болуы гидроксильді
Дегидроксилирлену кезіндегі кремнеземнің бетінде қарастырылған өзгерулермен бірге үстіңгі құрылымдардың
Дегидроксилирленудің жоғары дәрежелерінде силоксандық көпірлердің пайда болуы қиындау, кремниқышқыл
Әдебиетте осындай түрдің бетінде радикалды және иондық ақаулардың қалыптасуы
Дегидроксилирленген кремнеземдердің беттерінің электроды акцепторлық қасиеттерін сыни зерттеулер мен
Si(OH)2 геминальды гидроксилді топтардың бұзылуы кезінде =Si=0 типіндегі құрылымдар
Дегидроксилирленген кремнеземдердің беттік құрылымдарын спектралды зерттеулер аз ғана. Сонымен
Осылайша, дегидроксилирленген кремнеземдер мен молекулалардың хемосорбциясының спектральды пайда болулары
Дегидроксилирлену кезінде дислокацияндық құрылымдар кең ауқымда пайда болуы мүмкіндігі
Тотығу материалдарының физикалық және химиялық қасиеттері көбінесе олардың адсорбциондық
Өзінің және әдеби мәліметтердің негізінде В.Ф.Киселев мынадай болжам айтқан
3550 см-1 жолағы, алдын ала жорамалданғандай, адсорбирленген суға қатысты
3400-3300 см-1 жолағын бүкіл зерттеушілерге қарағанда сутегінің байланысымен қатысты
3400-3300 см-1 жолағының қарқындылығы бөлме температурасын сорғаннан кейін бірден
Жоғарыда айтылған жолақтардан басқа да 3750-3000 см-1 аймағында үзіліссіз
SiO2 гидратты жамылғысы бойынша әдеби мағлұматтарды қарастыру әзірлеудің әдісіне
SiO2 бетіндегі гидроксильді топтардың топографиясын ЯМР әдісімен зерттеуге арналды
Адсорбирленген молекулалары бар кремнеземнің бетінің ОН-топтарының әсеріне көптеген зерттеулер
Осылайша: SiO2-ң беттік ОН-топтары физикалық адсорбцияның орталығы болып
2. СЫНАҚ ӘДІСІ
2.1 Зерттеу нысандары
Зерттеу нысандары мыналар болды: КСК типіндігі силикагель, зертханалық жағдайда
Кесте 2.1- Тотықтардың негізгі сипаттары
Үлгі м2/г үлесті бет Å
артықшылық диаметрі Құрылымдық су, моль/м2 Сілтеме
SiO2
(КСК) 320 200 4,78 /26/
SiO2 (ЕТ) 600 40 4,12 /26/
SiO2 (кварц) 50
бар
Силикагель(SiO2) – бұл қышқыл мен натрий силикатының өзара араласқанда
Инфрақызыл сәулелер үшін силикагель мөлдір. Кремний екі тотығының тыйым
Кесте 2.2- Зерттелген үлгілердегі қоспалардың құрамы
Үлгі Қоспалар, салмағы %-бен
Al Fe Mn Ca Na Cu Si
SiO2
(КСК) 7(10-2 5(10-3 --- 1.5(10-3 7(10-2 1(10-2
SiO2 (ЕТ) 1(10-4 1(10-3 10-5 10-5 10-4 10-5 ---
Сынақ жүргізбестен бұрын, берілген температурада вакуумдық 8-9 сағаттық жаттығу,
Манометрикалық зерттеулер үшін вакумдық құрылғылардың бірқатар типтері жинақталды[33].
2.2 Вакуумдық-сынақ құрылғылары
Үлгілерге вакуумдық-температуралық жаттығу жүргізілген және фото- және гамма-адсорбциялар зерттелген
Зарядталған бөлшектердің әсерімен радиациялық сорылу, гамма-сорылу сынақтарын адсорбент-газ жүйесіндегі
SiO2–не оттегінің фотосорбциясы бойынша сынақтардағы манометриялық өлшеулер ЭПП-09 потенциометріндегі
Жүйедегі температура термобудың көмегімен өлшенді: хромель-алюмель, хромель-копель және платина-платинародий
2KMnO4 ( K2MnO2 + MnO2 + O2 .
Сұйық азотпен суытылған тұзақ арқылы оттегіні өткізе отырып қосымша
Сутегі тазартылған судың электролизімен алынды және палладийдың қыздырылған қабырғасы
Алынған газ ластанбауы үшін 3-4 сағат газ алуға арналған
Тәжірбиенің шарттарына байланысты кюветтің (қуыс) бірнеше типтері қолданылды: фотосорбциялық
Кварцтық кюветтер мен ампулалар вакуумдық жүйеге «кварц-шыны» өткелдерінің көмегімен
ИҚ-спектрлерін және оттегінің фото, гамма және радиациялық сорылуын және
Масс-спектрометриялық зерттеулерде кювет қолданылды, бұл фотоманометриялық зерттеулерде пайдаланылғанға ұқсайды.
2.3 Сәулеленудің көздері мен техникасы
2.3.1. Ультракүлгінді (УК) сәулеленудің көзі
УК-сәулелену көзі ретінде желіге 220 және 120 вт сәйкес
2.3.2 Гамма-сәулеленудің көзі
γ-кванттарының көзі ретінде орталық арнадағы дозаның қуаты бар РХМ-гамма
D=k(Mt/R2 ,
R - ара қашықтық, метрмен, t - уақыт, сағатпен,
2.3.3 Зарядталған бөлшектердің көзі
Зарядталған бөлшектердің көзі У-250 типіндігі ИЯФ НЯЦ ҚР циклотроны
Ф=СІ.1012 с/бөлшек,
І – ток мка-мен, С- бөлшектің зарядына байланысты коэффициент.
2.3.4 Нейтронды сәулеленудің көзі
ВВР-К реакторы нейтрондар мен гамма-сәулелердің қуатты көзі болып табылады.
Алюминдік толтырушыны пайдаланумен калориметрикалық әдіспен айқындалған аралас n, γ-сәулеленуінің
Дозаны калориметрикалық әдіспен айқындағанда жылу нейтрондарының үлесі ( 5%,
2.4 Адсорбенттер мен гамма және фотосорбция үрдістерінің қасиеттерін зерттеудің
2.4.1 Манометриялық әдіс
Манометриялық әдіс сезімтал әдістердің бірі болып табылады. Сезімталдық бойынша
N = 3,3(1016((p(V,
N - сорылған газдың көлемі, мол/г, (p – қысымның
Гамма-қондырғының орталық арнасындағы үлгілердің сәулеленуіндегі адсорбент-адсорбаттардың біріккен сәулену кезіндегі
2.4.2 Масс-спектрометриялық әдіс
Газдардың адсорбциясы мен десорбциясын зерттеуге уақыттың кез-келген мезетінде газдың
293-1073 К температурасының интервалындағы адсорбенттердің термосорбция өнімдеріне талдау жасауға,
Өзге вакуумдық құрылғылардан айырмашылығы масс-спетрометрінің айдау-жіберу жүйесінің шыны көтергіштері
2.4.3 Инфрақызыл спектроскопия
Табиғатта атомдар мен молекулалардың квантты энергетикалық деңгейлерінің арасындағы өткелдердің
Қазіргі кезде ИҚ-спектроскопиясы қатты дене бетінің физикасы мен химиясының,
«Karl Zeiss Jena» фирмасының жұмысшы аумақтық жиілігі 500-4000 см-1
ИҚ-сәулелерінің талауын азайтуға тотық ұнтақтарының бөлшектері көп ретте елек
Арнайы жинақталған пресс түрінде басылған таблеткалардың көлемдері 30 х
Осылайша 1500 см-1 аумағында осы қалыңдықта силикагелдің үлгілерінің 35-45%
2.4.4 Радиоспектроскопиялық әдіс
Иондайтын сәулелену кезіндегі зерттеліп отырған затта түзілетін әртүрлі парамагнитті
ЭПР спектрлерін кристаллдағы бұзылулардың құрылымы туралы сапалы мағлұматтар алуға
ЭПР әдісімен біз алдын ала өңдеудің сәулеленуі мен температурасы
Дифенилпикрилгидролиз бойынша үлгідегі буланбаған спиндерінің РЭ-1301 спектрометрінің сезімталдығы (1013
3. ТОТЫҚТАРДЫҢ ҮСТІҢГІ ҚАБАТЫНДАҒЫ ГАММА-
АДСОРБЦИЯЛЫҚ ҮРДІСТЕР
3.1. ( сәулесінің SiO2 гидроксилді жамылғыларына тигізетін
әсерлері
Cурет 3.1-н көрініп тұрғандай SiO2 (-сәулесі вакуумда спектрдің түрін
Сурет 3.1- γ- сәулеленген SiO2-ң жұтылу ИҚ- спектрі
1- бастапқы спектр, 2- Dγ =0.024 МГр, 3-О2 (Тпр=
(-кванттарымен сәулеленген SiO2 –ға (0.024 Мгр сәулелену дозасы) көміртегін
Осылайша (-сәулеленген SiO2 ИҚ-спектрлерін зерттеген кезде (-сәулесінің әсерімен дегидроксилирлеу
3.2 Оттегі (-адсорбциясының SiO2 –ге температуралық тәуелділігі
SiO2 бетінің алдын ала температуралық белсенділігінің рөлін анықтау үшін
673К алдын ала өңдеу температурасында бетте су молекулалары болмайды,
Біз SiO2 -ң «ОЧ», «КСК» маркасын , сондай-ақ «Дегусси»
Жаттығу біткеннен кейін ампулалар ажыратылды және бөлме температурасында (-құрылғысында
Сәулелену дозасы 0,003-тен 0,2 МГр дейін 0,0077МГр/сағ доза қуатымен
Үлгілері бар ампулалары сәулеленгеннен кейін вакуумдық жүйеге қосылды және
SiO2 өлшемі біздің тәжірбиемізде 1 г тең болды, ал
Сурет 3.2- SiO2-гі оттегінің γ адсорбция кинетикасы
Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-873 К, 4-1073 К,(
Po= 16 Па)
Сурет 3.3- γ адсорбирленген оттегі санының алдын-ала тесу
температурасынан тәуелділігі
1.Dγ =0.024 МГр, 2-0.186 МГр, 3- 0.024 МГр,
және 16 Па (3)
Сурет 3.4 - SiO2-гі γ адсорбирленген оттегінің
1-Тпр=473 К, 2- 673 К, 3- 873 К, 4-
Алынған сынақ мәліметтері сурет 3.2-3.6 берілген. Cурет 3.3-н көрініп
Алдын ала өңдеу температурасы 623-тен 773К дейін SiO2
Енді шамалы толығырақ әрбір температураға тоқтала кетейік, бұл температураларда
Оттегі реакциясының өнімдері сутегінің байланысын түзе отырып гидроксильді топтардан
Аралас орталықтардың рөлін де жоққа шығаруға болмайды, дегенмен, олар
473К өңдеу температурасында қалған органикалық ластанулардың тотығуы үлкен рөл
Осылайша, 473К алдын ала жаттығу температурасында біз адсорбцияның мындай
673К алдын ала қыздыру температурасы кезінде адсорбцияның кең жүргендігі
Оттегінің адсорбирленген молекулалар санының SiO2 алдыңғы қыздыру температурасына қарағанда
Алдын ала қыздыру температурасының ұлғаюымен (-адсорбциясының жылдамдығы да өрістейді
Осы әсерді түсіндіру үшін адсорбенттің (-сәулелену кезіндегі адсорбцияның белсенді
O
Si Si
O
Бұлар оттегі болған жағдайда олармен тиімді байланысқа түседі. Ал
SiO2 –ғы оттегінің (- адсорбциясының дозалық тәуелділігінде (сурет 3.4)
Зерттеліп отырған бастапқы қысымға байланысты сурет 3.5-н көрініп тұрғандай
Сурет 3.5- Қоспа құрамы әр түрлі кремний қостотығындағы
γ- адсорбция кинетикасы
1- « ОЧ» маркалы силикагель, 2- аэросиль, 3- КСК
( Ро=16 Па, Dγ =0.024 МГр)
Осындай жағдайда аз дозада оттегінің үлкен дозаға қарағанда көп
673К қыздыру температурасында жүргізілген зерттеулер Р қысымына N
Жылу десорбциялық зерттеулер газ бөлу жылдамдығының барынша жоғары болуы
Сурет 3.6- SiO2 бетіндегі γ- адсорбирленген О2-нің
термодесорбциясы
1- Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-1073 К (Dγ
3.3 SiO2 бетіндегі адсорбцияның парамагнитті
орталықтары.
Белгілі бір жағдайларда радиациялық адсорбция орталықтарының бірі сәулелену кезінде
SiO2 парамагнитті орталықтарын көп зерттеушілер зерттесе де, алынған мағлұматтардың
SiO2 (КСК) ЭПР алынған спектрлері сурет 3.7-3.8
Сурет 3.7-де бөлме жылулығында алынған SiO2 ЭПР спектрі көрсетілген.
SiO2 ЭПР спетрінің температуралық және дозалы тәуелділігі, оттегі адсорбциясының
Температуралық тәуелділік бойынша 30-дық спектрометрде жүргізілген зерттеулер барысында парамагниттік
Егер де парамагнитті орталықтар 673К дейін ұлғаятын болса SiO2
Сурет 3.7- SiO2-гі парамагниттік орталықтардың дозалық
тәуелділігі
1.Тпр= 473 К, 2-673 К, 3-873 К, 4- 1073
(Р0= 16 Па)
Сурет 3.8- γ-сәулеленген SiO2-ң ЭПР спектрі
а- бастапқы спектр, b- О2 жіберу (λ=30 см) Dγ=
температурада SiO2 үстіңгі қабатының қайнауы басталады, осы себептен
SiO2 алдын ала сәулеленгенде оттегінің адсорбциясы парамагнитті орталықтардың санын
Келесі әдебиеттерінің және жеке мәліметтердің негізінде радикалды формадағы оттегі
Сурет 3.9- γ-толқындарымен сәулеленген SiO2-гі парамагниттік
орталықтардың қыздырылуы
SiO2 алдын ала сәулеленгенде түзілген парамагнитті орталықтар көлемді сондай
Бір жағынан: жанама нақтылама да бар, ПМО айтарлықтай үлкен
SiO2 –гі парамагнитті орталықтардың суытылуын зерттеу былайша жүргізілді: үлгі
Сурет 3.9 көрініп тұрғандай, SiO2-ғы парамагнитті орталықтар 393К температурасына
4. ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
Дипломдық жоба есептеу техникасының қазіргі таңдағы құралдарын пайдалана отырып
Еңбек қорғау – бұл заң негізінде және нормативті актілер
4.1 Қауіпсіздік шаралары
Қауіпсіздік шараларды қолданудың екі түрі бар:
1. Радиациялық сәуле шығарудан қорғану шаралары:
а)Құрылғы конструкциясында қызмет корсетуші персоналға қауіпсіздікті қамтамасыз ету керек;
ә)Рентгендік сәуле шығару экспозициялық дозасының қуаты рентгендік түтіктің козухасынан
б)Рентгендік сәуле шығару экспозициялық дозасының қуаты камера құрылғысымен жұмыс
в)Рентгендік сәуле шығару экспозициялық дозасының қуаты қорғаныс
г)Қорғаныс қожухосында рентгендік түтікте ″радиациялық қауіпсіздік″ деген белгі болуы
ғ)Құрылғыны рентгендік түтіктегі қорғаныс кожуханының айнасын ашқан кезде
д)Рентгендік түтіктегі кожуханың қорғаныстың айнасында автоматты қаптау болуы керек.
2. Электр қауіпсіздік шаралары:
а)Құрылғы конструкциясы қызмет көрсетуші персоналға қауіпсіздікті қамтамасыз ету керек.
ә) Құрылғының барлық ток жүретін бөліктерін жермен зажимдеу керек.
б)Құрылғының құрал бөлігінде жерлену зажимдері болуы керек. Жерлену проводасының
в)Құрылғының екілік тізбегі электр контакт нүктесімен жерлену зажимінде бірге
г) Құрылғыны электр желісіне қосу индикаторы жасыл фильтерге қосылады.
ғ)Рентгендік түтікке жоғарғы кернеуді қосу индикаторы қызыл фильтерге қосылады.
д)Құрылғыда блокировка болуы керек.
ж)Рентгенді түтікті суытуда судың қысымы төмендеуін, құрылғыда жоғарғы кернеуді
4.2 Өндірістік санитария
ГОСТ 12.1.005-92 құжаты кәсіпорындағы жұмыс зонасының ауасына қойылатын талаптарды
35·20·4 м өлшемді лаборотория , оның ішінде
4.3 Бөлме-жайды желдетуді есептеу
Есептеу орталығының бөлме-жайының өлшемі 35м Х 20м Х 4м,
Бөлме-жайда ауа параметрлері жабдық жұмысының технологиялық талабынан, дәл айтқанда
Qp – жұмысшылардың жылу бөлуі. Максимальды жұмысшылар саны 20
Qp=125 x 20=2500 Вт,
Күн сәулесінің жылу бөлуі. Зал 1 қабатта орналасқан, залға
Qok = q1 * F * A * N
Qok = 260 x 6 x 1,15 x 4
мұнда А – айналу түрінің ескеретін коэффициент (екі қабат
F – айналу беті, q - калорий,
Qиск – жасанды жарықтандырудың жылу бөлуі (жасанды жарықтандыру жүйесінің
Qиск = 30 Вт * S,
Мұнда S – бөлме-жайдың ауданы
Qиск = 30 x 35 x 20 = 21000
Qэвм – ПРДО пешінен бөлінетін жылу:
Qилу= P * N,
мұнда Р – бір ПРДО пешінің қуаты, N
Q = 250 Вт * 25 = 6250 Вт.
Qмах = Qp + Qok + Qиск + Qилу
Qмах = 2500 + 10184,4 + 21000 + 6250
Нормативті актілерге сәйкес бір адамның жылу және дымқыл бөлуі
Gвл = 115 * 25= 2.875 кг/час
Жылу-дымқыл байланысын келесі бір формуламен табамыз:
E = Q / Gвл
Табамыз
E = 39934.4 / 2.875* 3,60 = 50004,81
Сыртқы жылу Jн = 59 Ккал/кг, Jвн46,2 Ккал/кг.
Бөлмені тазартуға қажет ауа көлемі, мына формуламен анықталады:
G = m*Q / (Iп – Iр)
G = 39934,4*3,6/(59 – 46.2) = 11231,55 кг/ч
Яғни пайдаланатын бөлме-жайда жұмысқа қолайлы жағдай туғыздыру үшін БРИЗАРТ
4.4 Өрт қауіпсіздігі
Бір қабатты ғимараттың бөлмесінің өлшемдері 35*20*4 м.
Өнеркәсіп ғимараты мен бөлмесінің өрт қауіптілігі онда орындалатын
Өртке қарсы талаптар.
ЕО электронды жабдықтарының қымбаттылығын және де олардың өртке
1 сағат төзімділігі бар материалдардан істелінген технологиялық едендер астымен
Адамдарды эвакуациялау.
Эвакуациялық жолдардың өлшемдері мен конструктрлық-жобалаулар шешімі және құрылыс
Эвакуациялық шығыстарының аралары
L>=1,5
мұндағы Р – бөлмені периметірі
осындай болатындай етіп орналасуы керек.
Сонда P=35*4=140 м. Бұдан L>=1,5 (140)*sqrt=17.7 м. жуықтаймыз L=17м
Түтінге қарсы қорғаныс.
Баспалдақ клеткаларының түтіндемеуі таңдау жолымен іске асырылады, яғни оларға
жұмыстық. Ондағы тұрақты жұмыс таңдау ауасы 5 Па;
төте (өрт кезінде). Ауа таңдауы 20 Па –дан кем
Найзағайдан қорғау.
Найзағайдан қорғау категориясы – 11 (Зона Б). Күтілетін
N=[(A+6Нзд)*(В+6Нзд)-7.7Нзд2]*n*10-6,
Мұнда А-ені, В-ғимарат ұзындығы (м), Нзд –биіктік (м), n=1.
A=20м, B=20м, Н=4,3м. Бұдан
N= [(20+6*4,3)*(20+6*4,3)-7.7*4,32]*10-6 ≈2*10-3
Ғимараттың жанында биіктігі һ=(R+1,63 Нзд)/1,5 (м) дара стержіндік найзағай
5. Өртті сөндірудің бірінші құралдары.
Есепке жүгіне отырып, әрбір ОУ-5 типті қолдық көмірқышқыл өрт
Есепке жүгіне отырып, бөлмелердің биіктігі 4,5 м-ге дейін болған
Өртті автоматты түрде сөндіру үшін УАП-А типті пневмопускісі
m=V*q*k
мұнда V – қорғалатын бөлменің көлемі, м3
q – заттың нормативтік массалық өрт сөндіргіш шоғыры (В=0.22
к - қорғалатын бөлмелерден сыртқа кету кесірінен хладонның шығынын
Бұдан V=35*20*4=2800 м2 кезінде қосалқы хладон
m= 2800*0,22*1,2=739.2 кг тең болуы қажет.
4.4.1 Өрт қауіпсіздігіне қойылатын нормалар
Жұмыс орны өрт қауіптілігі жағынан II дәрежедегі кәсіпорынға жатады.
Ғимаратты өрт шыдамдылығы жағынан I не II дәрежеліге жатқызуға
Кесте 4.1 - Құрылыстық конструкциялардың нормалары
Ғимараттың және құрылыстың өрт шыдамдылық дәрежесі Негізгі құрылыстық конструкциялар
Ұстаушы қабырғалар, баспалдақтық қабырғалар, клонналар Баспалдақтық алаңдар, баспалдақтық клеткалардағы
Минимальды талаптар
I 2,5 1 0,5 0,5 1 0,5
II 2 1 0,5 0,25 0,75 0,25
Максимальды талаптар
I Қойылмайды
II Қойылмайды 40 қойылмайды
Кесте 4.2 - Өртке қарсы тосқауылдардың өрт шыдамдылығы
өртке қарсы тосқауылдар
өрт шыдам-дылығының
ең кіші шегі
өртке қарсы қабырға
өртке қарсы қабырғадағы есік, терезе мен дарбазалар
өртке қарсы перегородка
өртке қарсы жамылғы ( перекрытие). Өрт шыдамдылығы I дәрежелі
өртке қарсы жамылғы ( перекрытие). Өрт шыдамдылығы I жоғары
1,2
0,75
1,0
0,75
Жергілікті өрт ошақтарын сөндіру үшін өрт сөндіргіштері қолданылады. Бөлмеде
Қарастырылып отырған ғимарат бір этажды болып табылады. Құрылым бойынша
4.5 Жасанды жарықтың есептелуі
Жалпы есептелуі екі әдіспен жасалады: пайдалану коэффицент әдісі және
Нүктелік әдіспен жалпы локальдық жарықтану, көлеңкесі бар жалпы біркелкі
Пайдалану коэффициент әдісі:
Келтірілген әдіс есептелу бетіне түсетін жарық ағымының жарық құралдың
і бөлменің индексі келесі формуламен анықталады:
(4.8)
мұндағы: А- бөлменің ұзындығы;
В- бөлменің ені;
Һ- есептелу биіктігі
Шағылыстыру коэффициенттердің бағытталған мәндері 4.3 кестеде келтірілген.
Кесте 4.3 - Өндірістік бөлмелердің (пот, (ст мәндері
Төбенің күйі (пот., % Қабырғаның күйі (ст. %
Жаңадан ақталған 70 Ақ перделермен жабылған, 70
Ылғалды бөлмеде жаңадан ақталған терезелермен
ақталған 50 Перделерсіз терзелері бар,
Таза бетонды 50 ақталған 50
Ашық ағашты Терезелері бар бетонды 30
(боялған) 50 Штукатурленген кірпіштік 10
Лас бетонды 30 Кір 10
Кір 10
F әр жарықтанушының керекті ағымы келесі формула бойынша анықталады:
мұндағы Е- берілген минималды жарықтану;
Кз- қордың коэффициенті;
S- жарықталған аудан, м2;
Z- жарықтың біркелкімелік коэффициенті Z = 1,1 ( 1,2;
N- жарықтанушылардың саны (есептеуге дейін бекітілген);
ДРЛ немесе қыздыру шамдармен жарықты есептеген кезде, алдымен төбенің
Есептің берілгені: ұзындығы 35м, ені 20м, биіктігі 4м болатын
Ілінудің есептелген биіктігі- жұмыс беті еденнен 1,2м биіктікте орналасқан,
Жарықтанушылардың арасындағы ең тиімді ұзындығы келесідей анықталады:
Z = ( • h = 1,4 • 2,5
Қабырғадан 0,5м қашықтықта 3 қатар жарықтанушыларды аламыз, қатарлардың арасындағы
Бөлменің индексін (4.1) формула бойынша анықтаймыз:
i=35*20/4*(35+20)=700/220=3.181
Бұл мәндерді 4.2 формулаға қойып, люминесценттік шамдардың санын анықтаймыз.
F әр жарықтанушының керекті ағымы келесі формула бойынша анықталады:
F=400*1.5*700*1.1/1=462000
Керекті шамдардың саны
N=F/F=462000/5220=88.5
400 лк нормирленген жарықтануды құру үшін барлығы қуаты 80Вт
СНиП ІІ-4–89 құжаты негізінде табиғи емес жарықтандыру шарттары өнеркәсіптік
Кәсіпорындық ғимараттарды жарықтанудың жоғары болуы жұмыс жағдайына дұрыс әсерін
Авариялық жарықтану, жалпы жарықтанудан 5%-ке аз жарықтануды қамтамасыз етуі
Эвакуациялық жарықтану, адамнның қауіпті деген өтетін
Кесте 4.4 - Жарықтану нормасы
Жұмыс орны Жарықтандыру беті, еденнен биіктігі Жарықтану нормасы, лк
артық емес
Комбинациялық жарықтану Жалпы жарықтану
Машиналық зал
ЭЕМ эксплуатациялық зал
Техникалық қызмет көрсету залы
Ақпарат тасы-ғыш құралдарды сақтау залы
Г – 0,8
Г – 0,8
Г – 0,8

750
750
750

400
400
400
300
15
15
15
20
4.5.1 Жұмыс орнының жасанды жарықталуы
Өндірістік кәсіпорындарындағы жасанды жарықталуының шарттары адамның көру жұмыс қабілеттігіне,
Еңбектің жағымды шарттарын құру үшін өндірістік жарықталуы келесі талаптарға
жұмыс орындағы жарықталуы тазалық нормаға сәйкес болу керек;
жұмыс бетіндегі және қоршаған кеңістіктің шектегі жарық мүмкіндігінше біркелкі
жұмыс бетіндегі кенет көленкенің болуы жарықтың біркелкі емес таратылуына
көру алаңында жарқылдық (тура немесе шағылысқан) болмау керек.
4.5.2 Жарықтың көзін таңдау
Жасанды жарық үшін қызу және газоразрядтық шамдар қолданылады. Жалпы
Кесте 4.5 - Жалпы жұмыстық қыздырушылық шамның қуаты мен
Шамның типі Қуат Вт 220
200-235 Шамның типі Қуат Вт 200 200-235
кернеуіндегі жарықтық ағым
кернеуіндегі жарықтық ағым
В 15 105 85 Б 150 2100 1840
В 25 220 190 Г 200 2800 -
Б 40 400 300 Б 200 2920 2540
БК 40 460 - Г 300 4600 4000
Б 60 716 550 Г 500 8300 7200
БК 60 790 - Г 750 13100 -
Б 100 1350 1090 Г 1000 18600 -
БК 100 1450 - Г 1500 2900 -
Г 150 2000 -
Кіші қысымды газоразрядтық шамдар ең үнемді болып саналады (ЛД,
Кесте 4.6 - Кіші қысымды газоразрядтық шамдардың кейбір сипаттамалары
Номиналдық номиналды жарықтық ағым
лм., шамдар типі Шамның өлшемі, мм.
қуат, Вт ЛДЦ ЛД ЛХБ ЛТБ ДБ Диаметр Штырьдың
15 500 590 675 700 760 27 451,6
20 820 920 935 975 1060 40 604,0
30 1450 1640 1720 1720 2100 27 908,8
40 2100 2340 3000 3000 3120 40 1213,6
65 3050 3570 3820 3980 4650 40 1514,2
80 3740 4070 4440 4440 5220 40 1514,2
4.6 Өндірістегі шу
ГОСТ 12.1.003-91 құжаты шу классификациясы, сипаттамасы мен жұмыс орындарында
4.6.1 Жұмыс орнында шудың шекті деңгейі
Жұмыс орындарында тұрақты шу сипаттамасы, 31.5, 63, 125, 250,
L = 20 lg (p/p0)
p – дыбыс қысымының орташа квадраттық мәні, Па;
p0 – дыбыс қысымының мәні. Ауада p0 = 2
Жұмыс орнында тұрақсыз шум сипаттамасы интегральді критерий арқылы анықталады.
Жұмыс орындарында дыбыс қысымының октавты қабат жиілігінде, дыбыс деңгейі
кеңполоскалы тұрақты және тұрақсыз шум – кесте бойынша мәндерге
тональді және импульсті шум – кестеде көрсетілгеннен 5 дБ
Кесте 4.7 - Дыбыс деңгейі мен дыбыс деңгейіне балама
Жұмыс орны Орташа геометрикалық
жиіліктегі октавті қабаттарда, Гц,
дыбыс қысымының деңгейі, дБ,
31,5 63 125 250 500 1000 2000 4000 8000
Шығармашылық жұмыстар, аса маңызды басқару жұмыстары, ғылыми жұмыстар, жобалау
ғимараттағы жұмыс орындар, дирекция, жобалау-құрастыру бюро, есеп жүргізу орындары,
Ойлауды талап ететін жоғары деңгейлі жұмыстар, әкімшілік басқару қызметі,
цехтік басқару аппаратындағы жұмыс орындар, конторлық ғимараттардағы жұмыс орындар,
Акустикалық сигналдарды қабылдау мен айналысатын жұмыс орындар, тұрақты акустикалық
диспетчерлік қызмет атқаратын жұмыс орындар, телефонмен байланыс жасайтын бақылау
Бақылау мен дистанциялық басқару жұмыстарымен қатар аса маңызды циклдік
телефон байланысын талап етпейтін бақылау мен дистанциялық басқару кабинеттері,
Кәсіпорын территориясында барлық жұмыстар (1-4 тізіміндегі жағдайлардан
86
93
96
103
107
71
79
83
91
95
61
70
74
83
87
54
63
68
77
82
49
58
63
73
78
45
55
60
70
75
42
52
57
68
73
40
50
55
66
71
38
49
54
64
69
50
60
65
75
80
4.7 Техника қауіпсіздігі
Пештік құрылғыны қолданудың қауіпсіздік техникасы:
- қорғаныс кожух ;
- қорғасынды қорғаныс әйнесі.
Юстировка жасау үшін персонал қорғасынды халат және маска кию
Қызмет көрсетуші персонал рентгендік құрылғы қосылып түрған кезде, 5
Жүмысшыларда қысқартылған жүмыс күні болу керек.
4.8 Электр қауіпсіздігі
ГОСТ 12.1.038-89 құжаты негізінде 400 Гц - ге дейін
Стандарт жарылысқа қауіпті зоналар, электр транспорттар, кемелер, металликалық резервуардарда,
Қорғаныс жерлену мен нулдену, изоляцияның бұзылғанының арқасында электр қондырғысының
Қорғаныс жерлену электр қондырғысының металликалық бөлімімен жер немесе жерге
Нулдену электр қондырғысының металликалық бөлімімен қоректі көздің жерленген нүктесі
Қорғаныс жерлену мен нулденуге электр қондырғыларының ток жүргізбейтін металликалық
Электр қондырғыларының қорғаныс жерлену мен нулденуін келесі шарттарға сәйкес
Электр қондырғыларында қорғаныс жерлеу ретінде алғашқы кезеңде табиғи жерлегіштер
Өнеркәсіптік ғимараттардың темірбетон фундаментін табиғи
Шекті кернеу мен жерлегіш құралдарының кедергісі жылдың кез келген
Бір немесе көп қызмет атқаратын электр қондырғыларына жерлегіш қызметін
Жерлегіш мен нулдену қорғанысқа қолданылатын өткізгіш ретінде осы қызметке
Жерлегіш қорғаныс пен нулденуге қолданатын өткізгіштердің материалы, конструкциясы мен
Металликалық құрылыс заттары мен өнеркәсіптік конструкциялар арасында потенциалдарды теңестіру
Ток түрі Ток әсерінің астында қалуының шекті (артық емес)
0,01-0,03 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Айналмалы 50 Гц
Айналмалы 400 Гц
Тұрақты
650
650
650
500
500
500
250
500
400
165
330
350
125
250
300
100
200
250
85
170
240
70
140
230
65
130
220
55
110
210
50
100
200
36
6
36
8
40
10
Кесте 4.8 - Ток әсерінің астында қалуының шекті (артық
5. СӘУЛЕЛЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙ ҚОСТОТЫҒЫН АЛУДЫҢ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСІНЕ ЖОБАНЫ ДАЙЫНДАУ
5.1 Технико – экономикалық нақтылау
Сәулелендірілген кремнийдің құны тазалығына байланысты әрқалай болуы мүмкін. Сонымен,
Сәулелендірілген кремнийді технологиялық әдістермен алады. Одан кейін, сол сәулелендірілген
Кремнийді тазартудың дәстүрлі әдісі – трихлорсиланды технология, бүгін кремнийдің
Кремнийдің бағасын едәуір түсірудің екі түрлі жолы бар:
Тазалығы жартылай өткізгішті арзан кремний алу.
Тазалығы аздау арзанырақ кремний алу, бірақ күн батареяларын жасауға
Негізгі өнімнің тазалығы өте сапалы болса, соғұрлым кремнийдің бағасы
Қазіргі кезде арзан күн кремнийін алу тәсілдерін шығарып жасауға
Кремнийдің ұшқыш қосылыстарының пиролизі немесе қалпына келтіру.
Тазалығы жоғары кремнийді алудың фторидті тәсілдері.
Техникалық кремнийді рафинадтау.
Тазалығы жоғары кремний диоксидін көміртекпен қалпына келтіру.
Бүгінге арзан күн кремнийін алудың керекті шарты аталмыш тазалығы
5.2 Шихта дайындық пен брикетті жасайтын құрылғыны алуға және
Ұсақтау мен кварцты байыту линиясы 20000
Шихта араластырғышы 10000
Брикекетті қысқыш 7000
Муфельді пеш 15000
Жоғары тазалықты кремнийге арналған
шихта дайындық жобасы 20000
Барлығы : 72000 ш.б.
Доллардың курсы 124 тг
Теңгемен есептегенде құрылғылардың бағасы 72000*124=8928000 тг
6) Құрылғыны орнату үшін 15 монтажшы керек, олар 3
Монтажбен айналысатын жұмысшалардың жалақысын санайық.
Кесте 5.1 - Монтажбен айналысатын жұмысшалардың саны мен жалақылары
Лауазымы Адам саны Жалақысы Жұмыс істеу ұзақтығы
Монтажшы 15
Әлеуметтік салық
(15450-1030-1545)*0,2+(25000-15450-955)*0,15=2575+1290=3865 тг
3 айда 15 адам үшін 3865*15*3=173925 тг
Әлеуметтік салықты қосқанда жалақы қоры:
1125000+173925=1298925 тг
5.3 Жұмысшылардың жалақысын есептеу
Жобаны енгізуге ат салысқан келесі жұмысшылар: жоба басшысы, инженер
Кесте 5.2 - Жобаны енгізушілер, олардың жалақыларының көлемі мен
Лауазымы Адам саны Жалақылары (1 айға) Жұмыс
Жоба басшысы 1 50000 12 600000
Инженер зерттеуші 3 40000 12 1440000
Инженер көмекшісі 2 20000 12 480000
Барлығы 2520000
Барлық жалақы: 2520000 теңге құрайды.
Әлеуметтік аударулар және зейнетақы қорына бөлінулер:
(15450-1030-1545)*0,2+ (41200-15450-2575)*0,15+(50000-41200-
(15450-1030-1545)*0,2+(40000-15450-2455)*0,15=2575+3314,25=5889,25
(15450-1030-1545)*0,2+(20000-15450-455)*0,15=2575+614,25=3189,25
Жалпы 7001,65+5889,25+3189,25=16080,15
16080,15*3=192961,8
Жалақы мен әлеуметтік бөлінулердің жалпы қоры:
2520000+192061,8=2712961,8 теңге.
Шихта дайындау үрдісінің өзгертуінің жасалуы және енгізуге кеткен шығындарды
Кесте 5.3 - Капиталдық салымдар
Аты Сома
Зерттеушілердің жалақылары 2712961,8
Монтажшылардың жалақылары 1298925
Жабдықтар 10680000
Барлығы 14691886
5.4 Негізгі персоналдың жалақылары
Негізгі персоналға пеште жұмыс істейтін адамдарды алайық – қысқыш
Кесте 5.4 - Негізгі жұмысшылар, олардың жалақыларының көлемі мен
Лауазымы Адам саны Жалақысы Жұмыс істеу ұзақтығы Жалақының барлығы
қысқыш слесарьлары 3 27000 12 972000
араластырғыш слесарьлары 4 30000 12 1440000
муфельді пеш слесарьлары 8 35000 12 3360000
Көмекші жұмысшылар 5 20000 12 1200000
Барлығы 20 6972000
Әлеуметтік аударулар және зейнетақы қорына бөлінулер:
(15450-1030-1545)*0,2+ (27000-15450-1155)*0,15=2575+1559,25=4134,65
(15450-1030-1545)*0,2+(30000-15450-1455)*0,15=2575+1964,25=4539,25
(15450-1030-1545)*0,2+(35000-15450-1955)*0,15=2575+2639,25=5214,25
(15450-1030-1545)*0,2+(20000-15450-455)*0,15=2575+614,25=3189,25
Жалпы 4134,65+4539,25+5214,25+3189,25=17077
17077*12=204924
Жалақы мен әлеуметтік бөлінулердің жалпы қоры:
6972000+204924=7176924 теңге.
Кесте 5.5-те – 25 кг кремний балқытуға жұмсалатын материалдардың
Кесте 5.5 - Негізгі материалдар мен шикізаттардың бағалары
Материалдар аты Саны (кг) 1 кг бағасы Құны (доллар)
Суперкварцит 100 0,15 15 1950
Ағаш көмірі 45 0,36 16,2 2106
Мұнай коксы 10 0,10 1 130
Көмір электроды 3,6 0,35 1,26 163,8
Барлығы 4349,8
25 килограмм кремний балқытуға жұмсалатын шығындар – 4349,8 теңге
1 килограмм кремний балқытуға жұмсалатын шығындар – 173,9 теңге
5.5 Шихтаны брикеттеуге кететін электр энергиясы.
Кесте 5.6 - Электр энергиясының есептеуі
Жабдықтар Қуаты, кВт/сағ Жұмыс істеу уақыты, сағ
Кварцты ұнтақтау және байыту линиясы 10 3 30
Араластырғыш 4 5 20
Қысқыш 0,8 4 3,2
Муфельді пеш 7 20 140
Барлығы 193,2
Электр энергиясының құны 4,6 тг/квт.
193,2*4,6=888,72 тг
5.6 Негізгі қаражаттың амортизациясы.
Жабдықтар амортизациясы
Жабдықтар құны 10080000 тг.
Жабдықтардың жұмыс істеу мерзімін 10 жыл деп алайық.
Амортизация нормасы – 10 %.
А=1008000*0,1=1008000 тг/жыл
Цех ғимаратының амортизациясы:
Цех алаңын есептеу:
бір негізгі жұмысшыға – 14 м2 өндірістік алаң керек
бір көмекші жұмысшыға – 1 м2 өндірістік алаң керек
1 м2 өндірістік алаң құны
негізгі жұмысшыға – 35000 теңге
көмекші жұмысшыға – 27000 теңге
Ғимаратты жөндеуге арналған бөлінулер – 3 %.
Жабдықтарды жөндеуге арналған бөлінулер
көлемі жабдықтар құнының – 5 %.
Амортизация нормасы – 1,2 %.
Персоналдың жалпы саны:
( Nитр+ Nмонт+ Nнег.пер. )=9+15+30=54 адам
А) 54*14*35000=26460000 теңге.
Б) 54*1*27000=1458000 теңге.
Ғимарат құны: 26460000+1458000=27918000 теңге.
Амортизациялық бөлінулер: 27918000*0,012=335016 теңге.
Ғимаратты жөндеуге арналған бөлінулер:
27918000*0,03=837540 теңге.
Жабдықтарды жөндеуге арналған бөлінулер:
10080000*0,05=504000 теңге.
Электр энергиясына кететін шығындар.
Цех ұзындығы бір жұмысшыға: 14м2+1м2=15м2.
Цех биіктігі 15 м.
V=15*15=225м3
Өндірістік алаңның 1 м3–на 15 Вт/сағ электр энергиясы жұмсалады.
225*15=3375 Вт/сағ* м3
Жарықтандыру уақыты бір жылда: 2300 сағ.
Сонда 3375*2300=7762500 Вт/жыл немесе 7762,5 кВт/жыл.
1 кВт энергияға тариф бойынша 4,6 теңге.
Сонда бір жылда 7762,5*4,6=35707,5 теңге бір жұмысшыға
кететін шығын.
Электр энергиясының кететін жалпы шығыны бір жылда
36018*54=1944972 теңге.
Жылытуға пар.
1 м3 өндірістік алаңға 15 кал/сағ пар кетеді.
225*15=3375 кал/сағ* м3
Жылыту мерзімі 4320 сағ.
3375*4320=14580000 кал/жыл* м3
Бір тонна пар 1000000 калорияға эквивалентті.
14580000 кал = 14,58 тонна бір жылытатын мерзімге.
1 тонна пардың құны 400 теңге.
14,58*400=5832 теңге бір жұмысшыға.
Жылытатын мерзімге пар үшін кететін шығындар жылына
5832*54=314928 теңге
Суға кететін шығындар.
Бір жұмысшыға бір аусымда 25 л су шығындалады.
1 м3 судың құны – 10 теңге.
1 жылда 252 жұмыс күні бар.
252*54*25=340200 л/жыл
340200 л = 340,2 м3
340,2*10=3402 теңге жылына.
5.7 Цехтық шығындар.
Электр энергиясына кететін шығындар – 2095875 теңге/жыл.
Көмекші жұмысшылардың жалақылары - 3631790 теңге/жыл.
Жобаны енгізушілердің жалақылары – 2712961,8 теңге/жыл.
Суға, жылытуға кететін шығындар – 318330 теңге/жыл.
Жұмыс қауіпсіздігіне кететін шығындар – 710546,4 теңге/жыл.
Ғимарат пен жабдықтарды жөндеуге кететін шығындар –
2076540 теңге/жыл.
Басқа да цех шығындары 25 %
Жалпы цех шығындары – 9850796 теңге.
5.8 Өзіндік құнының калькуляциясы
Негізгі материалдар мен шикізаттардың бағалары 30,52
Негізгі персоналдың жалақылары 160,3
Электр энергиясының құны 4,83
Амортизация 27
Цехтық шығындары 197
Цехтық өзіндік құны 420
Завод шығындары 160
Заводтық өзіндік құны 580
Өндірістік емес шығындар 23,2
Толық өзіндік құны 603,15
Қорытынды нәтиже:
Санағанымыздай кремний балқыту үшін шихтаның бағасы 603,15 тг болады.
ҚОРЫТЫНДЫ
Жұмыста бірінші рет бақыланатын сыртқы жағдайлар кезінде (температура, қысым,
а) Иондалған сәулелену әсері бір жағынан беттік ОН-топтардың (тұйықталған
б) Оксидтердегі радиациялық-стимулданған адсорбцияның кинетикалық сипаттамалары зерттелген, адсорбция үрдісі
в) Оттектің фотоадсорбциясының спектрлі сипаттамалары зерттелген, кремний қостотығының оттектің
Фото және гамма-адсорбциондық эффектілер ұзақтылығы алдын ала қыздыру температурасынан
г) Бастапқы және сәулеленген оксидтер парамагнетизмі зерттелген, әр түрлі
д) Кремний оксидтерінің беттік қасиеттеріне жоғары энергиядағы зарядталған бөлшектердің
е) Нейтронды сәулеленудің оксидтер қасиеттеріне әсер етуін зерттеу кезінде
ж) Оксидтердегі оттек және сутектің радиационды адсорбция механизмі ұсынылған.
Жұмыста алынған ғылыми нәтижелерді оксидті материалдардағы радиационды-стимулданған құбылысының механизмдері
ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств
Абляев Ш.А., Стародубцев С.В., Ерматов С.Е. Изменение адсорбционных свойств
Аксенова Т.И., Ерматов С.Е., Тусеев Т. Исследование центров фотосорбции
Бобышев А.Н., Радциг В.А. Свободно-радикальные центры заданной структуры на
Волков А.В., Киселев А.В., Лыгин В.И. Исследование дегидрокслирования и
Данчевская М.Н., Крейсберг В.А., Ракчеев В.А. Механизм воздействия поверхностно-
Данчевская М.Н., Овчинникова О.Т. Спектры ЭПР облученных гамма-лучами кремнезема.
Ерматов С.Е., Жуков Е.И., Тусеев Т. Изучение адсорбции водорода
Ерматов С.Е. Исследование поверхностных свойств и природы центров адсорбции
Ерматов С.Е., Жуков Е.И. Метод исследования адсорбции газа в
Ерматов С.Е., Тусеев Т., Сидоров Н.А. Масс-спектрометрические исследования процессов
Ерматов С.Е., Тусеев Т. Температурная зависимость γ-адсорбционного эффекта на
Ерматов С.Е., Тусеев Т. Зависимость γ-адсорбционного эффекта от температуры
Ерматов С.Е., Тусеев Т. О роли гидроксильного покрова двуокиси
Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационно-стимулированная адсорбция на
Ерматов С.Е., Тусеев Т. Поверхностные радиационные эффекты на SiO2
Ерматов С.Е., Тусеев Т., Вахабов М. Радиационные центры адсорбции
Киселев В.Ф. Поверхные явления в полупроводниках и диэлектриках. –
Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников
Киселев В.Ф., Лыгин В.Н. ИК-спектры поверхностных соединений и адсорбированных
Квливидзе В.И., Киселев В.Ф. Исследование состояния поверхности методом ЯМР.-
Кольцов С.И., Алесковский В.Б. Силикагель, его строение и химические
Киселев В.Ф., Лыгин В.И., Щепалин К.Л. Исследование химических свойств
Кошеров Т.С. Исследование природы радиационных центров и механизма адсорбции
Крутоверцев С.А., Меньшиков С.Д., Сироткин С.И. и др. Влияние
Коротков Ф.П., Холмогоров В.Е. Фотосенсиблизированное разложение воды на поверхности
Любимова О.И., Котов А.Г. Поверхностные центры γ-облученных силикагелей. Исследование
Радциг А.А., Бобышев А.А. и др. Силадиоксирановые группировки на
Покровский В.А., Морозов А.В. и др. Изучение активных центров
Солоницын Ю.П. Фотосорбционные процессы на оксидных адсорбентах. – М.:
Тагиева М.М., Киселев В.Ф. Исследование воздействия излучения на свойства
Теренин А.Н. ИК-спектры поверхностных соединении на силикатных соединениях. –
Тусеев Т. Т. Влияние облучения на поверхностные свойства некоторых
Тусеев Т. Т. О кинетике фотоадсорбции на SiO2.- Туркестан:
93





21 қыркүйек 2019ж.
2008-2018 topreferat.com - Қазақша рефераттар, курстық, дипломдық жұмыстар

^